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產(chǎn)品中心
808nm 10W半導體激光單管芯片(190μm)
808nm 10W半導體激光單管芯片(190μm)
波長
808nm
功率
10.5W
工作電流
10A
工作電壓
1.9V
發(fā)光條寬
190μm
尺寸
4000*500*150 μm
發(fā)散角
8/35 degrees
光電轉(zhuǎn)換效率
58%
環(huán)保
RoHS Compliant
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產(chǎn)品介紹

 大功率半導體激光芯片制造商—深圳瑞波光電子有限公司宣布推出新型10W 808nm半導體激光芯片,該芯片主要用于固體激光器泵浦、醫(yī)療美容、激光照明、自由空間光通信等領域。


    新款10W 808nm半導體激光芯片型號為RB-808B-190-10-4-SE,支持COS封裝,發(fā)光條寬為190μm,腔長4mm,光電轉(zhuǎn)換效率58%,使用壽命可達20000小時以上。另外該芯片也采用了新型外延結(jié)構(gòu)設計和材料外延,先進的非泵浦窗設計和制備技術(shù)以及干濕法腐蝕結(jié)合自對準工藝技術(shù),控制條寬的一致性,特別保證大批量生產(chǎn)下的高成品率,降低激光芯片成本。同時新技術(shù)的采用大大提高的耐高溫特性,使之可以在環(huán)境溫度60℃甚至更高溫的情況下連續(xù)工作。

  除了10W 808nm波長外,瑞波光電還向市場供應3W/6W/8W 808nm芯片以及CW 50W 808nm Bar、QCW 300W 808nm Bar等產(chǎn)品,歡迎有興趣的朋友前來咨詢和評估。