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808nm 10W半導體激光單管芯片(350μm)
808nm 10W半導體激光單管芯片(350μm)
波長
808nm
功率
10.5 W
工作電流
10A
工作電壓
1.75V
發(fā)光條寬
350μm
尺寸
2500*500*150 μm
發(fā)散角
8/36 degrees
光電轉換效率
58%
環(huán)保
RoHS Compliant
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產品介紹

   大功率半導體激光芯片制造商—深圳瑞波光電子有限公司宣布推出新型10W 808nm半導體激光芯片,該芯片主要用于固體激光器泵浦、醫(yī)療美容、激光照明、自由空間光通信等領域。


    新款10W 808nm半導體激光芯片型號為RB-808B-350-10-2.5-SE,支持COS封裝,發(fā)光條寬為350μm,腔長2.5mm,光電轉換效率58%,使用壽命可達20000小時以上。另外該芯片也采用了新型外延結構設計和材料外延,先進的非泵浦窗設計和制備技術以及干濕法腐蝕結合自對準工藝技術,控制條寬的一致性,特別保證大批量生產下的高成品率,降低激光芯片成本。同時新技術的采用大大提高的耐高溫特性,使之可以在環(huán)境溫度60℃甚至更高溫的情況下連續(xù)工作。

 

   除了10W 808nm波長外,瑞波光電還向市場供應3W/6W/8W 808nm芯片以及CW 50W 808nm Bar、QCW 300W 808nm Bar等產品,歡迎有興趣的朋友前來咨詢和評估。