目前激光是除斑除色素的優(yōu)秀解決方案,得到了廣泛的應(yīng)用,在色素性病變治療方面的主流波長(zhǎng)有694nm、755nm、808nm、1064nm等,其中755nm波長(zhǎng)是一個(gè)非常重要的應(yīng)用波長(zhǎng),主要原因?yàn)?55nm波長(zhǎng)對(duì)于黑色素吸收效果的專一性是所有激光除斑當(dāng)中最高的一個(gè),專一性越高,去除黑色素的效果越明顯,清除率高,可縮短治療次數(shù),皮膚安全性也越高。
755nm波長(zhǎng):黑色素吸收率高
從黑色素的吸收峰來看,755nm的吸收系數(shù)為8-10,1064nm吸收系數(shù)在4-5之間。黑色素的吸收率隨波長(zhǎng)增加而降低,波長(zhǎng)越長(zhǎng),黑色素吸收越少。所以,黑色素吸收越高,激光作用就越明顯,755nm可充分作用于目標(biāo)靶組織。黑色素的吸收率隨波長(zhǎng)增加而降低,波長(zhǎng)越長(zhǎng),黑色素吸收越少,則治療時(shí)所需要的起效能量就越高。因此在黑色素吸收問題上,755nm激光使用較低的能量就能達(dá)到顯著的治療效果,將副作用降到最低。
755nm波長(zhǎng):黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率高 血紅蛋白競(jìng)爭(zhēng)性吸收少
將激光打到皮膚上,黑色素以及血液都會(huì)吸收能量,我們?cè)诳紤]波長(zhǎng)對(duì)黑色素吸收率強(qiáng)的同時(shí),也不能忽視其對(duì)血液的吸收率,因?yàn)楫?dāng)血液和黑色素兩者都能吸收的同時(shí),黑色素就沒有相對(duì)優(yōu)勢(shì)了。由于血液并不是我們目標(biāo)要處理的對(duì)象,所以我們不希望血液吸能量吸得太好,因?yàn)檠何芰课迷胶?,代表越多能量并非有效率在處理黑色素?/div>
非目標(biāo)物(血液)吸收能量,除了整體能量輸出要加強(qiáng)以務(wù)求黑色素獲得一定程度的刺激外,也會(huì)帶來不必要的副作用,例如紅腫、皮下出血、反黑等,延長(zhǎng)了恢復(fù)時(shí)間之余,還增加副作用的風(fēng)險(xiǎn),如色素沉淀、反黑(hyperpigmentation)和反白 (hypopigmentation)。
所以,黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率越好,意味著血紅蛋白競(jìng)爭(zhēng)性吸收少,激光作用效果就越好。755nm黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率好50倍,而1064nm黑色素相對(duì)血液的吸收能量比率只高16倍,相比之下,755nm作用效果比1064nm好3倍左右。
所以755nm激光的優(yōu)勢(shì)在于,它具有較高的黑色素吸收比率,血紅蛋白競(jìng)爭(zhēng)性吸收少,這意味著它可以在較低的能量水平上就能達(dá)到效果,大大減少了上述副作用的機(jī)會(huì),縮短了恢復(fù)時(shí)間,減少了所需的治療次數(shù)。
755nm波長(zhǎng):足夠的穿透深度
色素性皮膚問題的激光波長(zhǎng)選擇在滿足上述兩個(gè)條件時(shí),還有一個(gè)條件同樣至關(guān)重要,那就是這些波長(zhǎng)對(duì)皮膚的穿透深度必須達(dá)到真皮層,才能有效改善淺表層至皮膚深層的色素性病變。
上圖中雖然沒有明確標(biāo)識(shí)出755nm波長(zhǎng)的激光皮膚穿透深度,但根據(jù)波長(zhǎng)區(qū)間對(duì)應(yīng)的穿透深度來看,以及結(jié)合下圖不同波長(zhǎng)對(duì)皮膚的穿透深度不難看出,755nm波長(zhǎng)能有效穿透至皮膚真皮層,對(duì)表皮到真皮各種色素病變都能達(dá)到不錯(cuò)的治療效果。
755nm波長(zhǎng)能有效穿透至皮膚真皮層
正是看到了激光在醫(yī)療美容市場(chǎng)的廣闊前景,作為國(guó)內(nèi)極少數(shù)研發(fā)和生產(chǎn)大功率激光芯片的專業(yè)供應(yīng)商-深圳瑞波光電子有限公司從2014年就開始研發(fā)醫(yī)療用激光芯片,現(xiàn)開發(fā)出755nm激光芯片,型號(hào)為RB-755A-350-8-2.5-SE,發(fā)光條寬350um,腔長(zhǎng)2.5mm,工作功率8W,光電轉(zhuǎn)換效率42%,工作電壓1.9V。(根據(jù)單管芯片測(cè)試數(shù)據(jù)得到。單管芯片測(cè)試時(shí),以 COS(Chip On Submount)封裝形式,COS 測(cè)試溫度為 25℃,熱阻為 2~3 K/W。)
755nm 芯片PIV曲線
755nm 芯片壽命測(cè)試曲線(連續(xù)電流)
瑞波光電755nm 芯片老化數(shù)據(jù)(脈沖電流,脈沖寬度50ms,重復(fù)頻率10Hz)。完成850小時(shí),即3000萬個(gè)脈沖,滿足祛斑和脫毛應(yīng)用的壽命要求2000萬次
除了755nm波長(zhǎng)外,瑞波光電針對(duì)醫(yī)療美容市場(chǎng)還開發(fā)了780nm、808nm、880nm、1064nm、1470nm、1550nm等多款單管芯片產(chǎn)品,均得到了市場(chǎng)的積極反饋和認(rèn)可,目前都在批量出貨中,歡迎感興趣的行業(yè)同仁前來咨詢。
關(guān)于瑞波光電
深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學(xué)研究院、國(guó)內(nèi)外技術(shù)專家共同創(chuàng)辦的從事大功率半導(dǎo)體激光器芯片研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè),擁有從半導(dǎo)體激光芯片外延設(shè)計(jì)、材料、制造工藝,到芯片封裝、表征測(cè)試等全套核心技術(shù),可向市場(chǎng)提供高性能、高可靠性大功率半導(dǎo)體激光芯片,封裝模塊及測(cè)試表征設(shè)備,并可提供研發(fā)咨詢服務(wù)。
公司芯片產(chǎn)品形式包括單管芯片(single-emitter)和bar條,功率從瓦級(jí)到數(shù)百瓦級(jí),波長(zhǎng)覆蓋可見光到近紅外波段,波長(zhǎng)包含635nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等,輸出功率均達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平,可代替進(jìn)口高端激光芯片;封裝產(chǎn)品包括C-Mount、COS(Chip on Submount)、BOS(Bar on Submount)和CCP等;表征測(cè)試設(shè)備種類齊全、自動(dòng)化程度高,包括Bar條綜合性能測(cè)試機(jī)、Full-bar 綜合性能測(cè)試機(jī)、COS綜合性能測(cè)試機(jī)、半導(dǎo)體激光光纖耦合模塊綜合性能測(cè)試機(jī)、大功率半導(dǎo)體激光芯片器件老化/壽命測(cè)試機(jī)等。
公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療美容、光通信、激光顯示、激光測(cè)距、科研等領(lǐng)域。公司的發(fā)展目標(biāo)是填補(bǔ)中國(guó)在大功率半導(dǎo)體激光器芯片領(lǐng)域的空白,成為世界一流的半導(dǎo)體激光器供應(yīng)商,為我國(guó)現(xiàn)代化生產(chǎn)和科學(xué)研究做出貢獻(xiàn)。
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