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激光技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越被廣泛地應(yīng)用于多個領(lǐng)域，因此市場對激光產(chǎn)品的要求也越來越高，普通的激光器產(chǎn)品開始無法滿足行業(yè)客戶的需要，這也催使激光器生產(chǎn)商開始研制出更好更先進(jìn)的激光器，近日，深圳瑞波光電子有限公司就在調(diào)查市場要求的基礎(chǔ)上推出了新一代的激光器產(chǎn)品-880nm QCW 300W半導(dǎo)體激光器Bar條。

    近年來，隨著“中國制造2025”計劃的繼續(xù)推進(jìn)，激光技術(shù)在消費(fèi)電子、智能裝備、PCB、機(jī)器人、人工智能、LED激光加工等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷加深，2017年我國激光加工市場規(guī)模近500億元，同比增長超28%，預(yù)計2018年激光市場規(guī)模將達(dá)600億元，市場發(fā)展前景看好。尤其在精細(xì)微加工方面，激光在光伏、液晶顯示、半導(dǎo)體、OLED等領(lǐng)域的鉆孔、刻線、劃槽、表面處理等環(huán)節(jié)發(fā)揮了不可替代的作用，正成為引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要一極。
    針對微加工領(lǐng)域的固體激光擁有天然的優(yōu)勢。消費(fèi)電子類產(chǎn)品的強(qiáng)勢和新技術(shù)研發(fā)定會向激光加工提出更高的要求，而固體激光器的特性使得其在與光纖激光器、二氧化碳激光器等的競爭中保持領(lǐng)先地位。在各類激光微加工應(yīng)用中，微電子品打標(biāo)和芯片微加工仍占有主要地位；國內(nèi)3D打印技術(shù)發(fā)展態(tài)勢較好，仍有巨大的升值空間；與此同時，UV激光打標(biāo)將會成為標(biāo)識行業(yè)的新增長點(diǎn)。另外，隨著二極管泵浦技術(shù)的發(fā)展，高光束質(zhì)量、高功率的MOPA結(jié)構(gòu)變得簡單，固態(tài)激光器在直接探測和相干探測等各類軍用雷達(dá)方面應(yīng)用日趨廣泛。瑞波光電新推出的880nm QCW 300W半導(dǎo)體激光器巴條（Bar）將主要用于軍用測距雷達(dá)固體激光器泵浦，以及民用固體激光器的泵浦應(yīng)用。
    相比CW, QCW激光二極管巴條的峰值功率會更高。另外，多個高峰值功率QCW巴條封裝在同一個區(qū)域。這些巴條就可以看作單個的CW巴條，因為每個巴條在QCW模式運(yùn)行時，更低的平均熱量損失。這些因素，再加上能夠組裝更加緊湊的二極管陣列，從而可以在QCW模式運(yùn)行下，獲得非常高的峰值功率。再者，QCW泵浦可以減少激光增益物質(zhì)的熱量，從而有效的降低熱聚束效應(yīng)，提高激光的光束質(zhì)量。
    據(jù)了解，瑞波光電新研制的808nm QCW 激光bar光電效率提升到65%，輸出功率為300W，填充因子：72%，腔長：1500μm，非常適合應(yīng)用于上述精細(xì)加工領(lǐng)域的固態(tài)激光器泵浦和紫外激光器。
    除此之外，瑞波光電為滿足固體激光器對光纖耦合模塊泵浦源的迫切需求，還推出了808nm波長的 190μm條寬的連續(xù)功率10W高亮度芯片，腔長4mm，以及880nm波長的 350μm條寬的連續(xù)功率10W芯片，腔長2.5mm。

圖1：25攝氏度環(huán)境溫度下， 808nm 1.5mm腔長的full bar條在QCW電流下的輸出功率超過300W

圖2：808nm 190?m發(fā)光區(qū)域?qū)挾取?mm腔長的芯片，封裝為COS后在10W連續(xù)輸出功率下的長期老化測試情況， 7個COS器件的老化時間累計超過2.8萬器件小時，無器件失效而且功率穩(wěn)定。該芯片的COD功率超過18W。

技術(shù)的不斷發(fā)展進(jìn)步促使著經(jīng)濟(jì)的迅速前進(jìn)，同時，經(jīng)濟(jì)的快速增長反過來也對技術(shù)提出更高的要求，激光企業(yè)要想在市場中處于不敗之地，在激烈的市場競爭中獲勝，就必須鉆研出領(lǐng)先的獨(dú)特的核心激光技術(shù)，這也是瑞波光電不斷持續(xù)發(fā)展主要原因。

關(guān)于瑞波光電
深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學(xué)研究院、國內(nèi)外技術(shù)專家共同創(chuàng)辦的從事大功率半導(dǎo)體激光器芯片研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè)，擁有從半導(dǎo)體激光芯片外延設(shè)計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術(shù)，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導(dǎo)體激光芯片，封裝模塊及測試表征設(shè)備，并可提供研發(fā)咨詢服務(wù)。
公司芯片產(chǎn)品形式包括單管芯片（single-emitter）和bar條，功率從瓦級到數(shù)百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，輸出功率均達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平，可代替進(jìn)口高端激光芯片；封裝產(chǎn)品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)和CCP等；表征測試設(shè)備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機(jī)、Full-bar 綜合性能測試機(jī)、COS綜合性能測試機(jī)、半導(dǎo)體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機(jī)、大功率半導(dǎo)體激光芯片器件老化/壽命測試機(jī)等。
公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領(lǐng)域。公司的發(fā)展目標(biāo)是填補(bǔ)中國在大功率半導(dǎo)體激光器芯片領(lǐng)域的空白，成為世界一流的半導(dǎo)體激光器供應(yīng)商，為我國現(xiàn)代化生產(chǎn)和科學(xué)研究做出貢獻(xiàn)。
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